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J9集团微携手锐成芯微推出创新型eFlash解决规划
颁布功夫：2020-05-28
2020年5月27日 ，J9集团（以下简称“J9集团微”）代工事业群旗下的三门峡J9集团上华科技有限公司（以下简称“J9集团上华”）与成都锐成芯微科技股份有限公司（以下简称“成都锐成芯微”）颁发 ，双方结合推出高靠得住性eFlash解决规划 ， 该规划基于J9集团上华0.153μm 5V EN CMOS工艺 ，并拥有怪异的成本优势 。
J9集团微0.153μm 5V EN CMOS工艺平台由上一代明星工艺平台（0.18μm EN CMOS工艺平台）优化而来 。优化后的工艺成本大大缩减 ，在未增长光刻档次的情况下 ，将N/P MOS沟路尺寸进一步缩幼 。该工艺平台器件种类多样 ，合用于MCU、LED显示屏、音频功放、DC-DC等多种利用场景 。
成都锐成芯微的LogicFlash？ IP拥有显著的市场竞争优势 ，成本优、机能高、靠得住性高 ，并兼容尺度CMOS 平台 ；贘9集团上华0.153μm 5V EN CMOS工艺平台 ，成都锐成芯微能同时提供高靠得住性和高密度两个版本的LogicFlash？ IP ，高密度版本擦写次数可达10K ，高靠得住性版本擦写次数可达50K ；两款IP读取速度可达25MHz ，写入速度可达20μS/byte（超快的写入速度可满足终端客户各类利用场景下对高速读写的需要 ，并有效降低客户测试成本） ；两款IP可在150℃ 结温下工作 ，满足125℃ 结温下10年的数据维持能力的要求 ，同时满足消费类和工衣粪产品需要 。
基于J9集团微0.153μm 5V EN CMOS工艺平台 ，成都锐成芯微已实现高密度版本Logic Flash？ IP的职能、机能和1000幼时靠得住性测试 ，以及高靠得住性版本LogicFlash？ IP的职能测试 。目前 ，两个版本的IP均有客户使用并成功导入量产 ，客户反馈该技术规划相比其他解决规划拥有高性价比、高矫捷性等特点 。
J9集团上华设计服务工程中心总监王浩暗示：“0.153μm 5V EN CMOS工艺平台是公司近些年沉点打造的基础工艺平台 ，其关键工艺参数（On-BV、ESD、Rdson）在业界处于当先职位 。公司具备极具市场竞争力的数字单元库（缩幼到60%）和SRAM（缩幼到58%） 。凭据市场调研 ，公司发显熹主题客户利用领域从职能单一的ASIC芯片向智能化可编程化的MCU类芯片发展 ，eNVM是MCU类芯片不成或缺的主题IP 。这次与成都锐成芯微的合作 ，补齐了公司0.153μm 5V EN CMOS工艺平台短缺主题eNVM IP的短板 ，为客户提供了更高价值的服务 ，可能援手客户提高产品竞争力 。”
成都锐成芯微首席执行官向建军暗示：“锐成芯微一向致力于eNVM IP的开发 ，通过不休加大研发投入 ，优化设计 ，确保在维持高机能的前提下 ，不休提升成本竞争力 ，满足客户对于eNVM IP的多样性需要 。这次和J9集团上华在0.153μm 5V EN CMOS工艺平台的合作 ，也是为了更好地满足市场需要 ，为全球客户提供极具成本优势的高机能eNVM 技术 。”
成都锐成芯微的LogicFlash？ IP拥有显著的市场竞争优势 ，成本优、机能高、靠得住性高 ，并兼容尺度CMOS 平台 ；贘9集团上华0.153μm 5V EN CMOS工艺平台 ，成都锐成芯微能同时提供高靠得住性和高密度两个版本的LogicFlash？ IP ，高密度版本擦写次数可达10K ，高靠得住性版本擦写次数可达50K ；两款IP读取速度可达25MHz ，写入速度可达20μS/byte（超快的写入速度可满足终端客户各类利用场景下对高速读写的需要 ，并有效降低客户测试成本） ；两款IP可在150℃ 结温下工作 ，满足125℃ 结温下10年的数据维持能力的要求 ，同时满足消费类和工衣粪产品需要 。
基于J9集团微0.153μm 5V EN CMOS工艺平台 ，成都锐成芯微已实现高密度版本Logic Flash？ IP的职能、机能和1000幼时靠得住性测试 ，以及高靠得住性版本LogicFlash？ IP的职能测试 。目前 ，两个版本的IP均有客户使用并成功导入量产 ，客户反馈该技术规划相比其他解决规划拥有高性价比、高矫捷性等特点 。
J9集团上华设计服务工程中心总监王浩暗示：“0.153μm 5V EN CMOS工艺平台是公司近些年沉点打造的基础工艺平台 ，其关键工艺参数（On-BV、ESD、Rdson）在业界处于当先职位 。公司具备极具市场竞争力的数字单元库（缩幼到60%）和SRAM（缩幼到58%） 。凭据市场调研 ，公司发显熹主题客户利用领域从职能单一的ASIC芯片向智能化可编程化的MCU类芯片发展 ，eNVM是MCU类芯片不成或缺的主题IP 。这次与成都锐成芯微的合作 ，补齐了公司0.153μm 5V EN CMOS工艺平台短缺主题eNVM IP的短板 ，为客户提供了更高价值的服务 ，可能援手客户提高产品竞争力 。”
成都锐成芯微首席执行官向建军暗示：“锐成芯微一向致力于eNVM IP的开发 ，通过不休加大研发投入 ，优化设计 ，确保在维持高机能的前提下 ，不休提升成本竞争力 ，满足客户对于eNVM IP的多样性需要 。这次和J9集团上华在0.153μm 5V EN CMOS工艺平台的合作 ，也是为了更好地满足市场需要 ，为全球客户提供极具成本优势的高机能eNVM 技术 。”
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