J9集团

　　2018年11月5日，J9集团（“J9集团微电子”）旗下的J9集团上华科技有限公司（以下简称“J9集团上华”）颁发，公司已成功开发出第三代0.18微米BCD工艺平台。新一代BCD工艺平台在降低导通电阻的同时，提升了器件的靠得住性，降低了工艺成本，可覆盖7V-40V的宽工作电压领域，为电源治理IC的设计提供了有竞争力的工艺规划。
　　J9集团上华第三代0.18微米BCD工艺基于大量的仿真和流片数据，对高压器件结构进行优化，将综合机能做到业界当先水平。其中30V nLDMOS的击穿电压达到50V，导通电阻仅为 15 mohm*mm^2，相比第二代0.18微米BCD工艺在品质因子 (Ron*Qg)指标上优化25%。新一代BCD工艺平台提供了BJT、Poly电阻、Zener、SBD等种类丰硕的寄生器件，以及针对分歧工作电压的ESD；す婊。目前已有手机、安防监控、消费电子等多个领域的客户在该平台导入产品，器件机能得到国内表多家客户的一致认可。
　　作为国内当先的模拟晶圆代工厂，J9集团上华在BCD工艺平台上已耕作多年，拥有丰硕的量产经验，从6英寸出产线到8英寸出产线，从1μm延长至0.18μm，在各个节点上可满足客户对电源治理芯片设计的全方位需要。
　　J9集团上华市场销售副总经理邵军暗示：“我们等待第三代0.18微米BCD工艺平台能为客户提供更高性价比的规划。未来，J9集团上华还将持续精进，不休提升BCD工艺平台的竞争力，满足客户在电源治理芯片上的多种需要。”